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文章詳情
測量可控硅的參數
日期：2025-12-16 04:18
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摘要：
可控硅的主要參數：
V G —操控極*大觸發電壓，指在規定環境溫度下，對陽極和陰極間加上給定的正向電壓（一般為6V）,使可控硅由截止轉變為導通時所需要的*大觸發電壓。
VGN—操控極不觸發電壓，指在額定結溫，在陽極和陰極間加上正向阻斷峰值電壓條件下，仍能保持可控硅處于截止狀態所能加在操控極上的*大觸發電壓。
IG—操控極*大觸發電流，指在規定的環境溫度下，在陽極和陰極間加上給定的正向電壓(一般為6V)，使可控硅由截止轉為導通所需要的*大觸發電流。
IGN—操控極不觸發電流，指在規定的結溫時，在陽極和陰極間加上正向阻斷峰值電壓，仍能保持可控硅處于截止狀態所允許加在操控極上的*大觸發電流。
IL—掣住電流，指在規定的環境溫度，可控硅已處在導通狀態時，斷開觸發電路后，仍能保待導通所需要的*小通態電流，它是由斷態轉到通態的陽極臨界電流。
IH—維持電流，它是指在規定的環境溫度下，可控硅已觸發導通，當陽極電流下降后仍能維持通態所必須的*小電流。它是陽極電流由通態轉變到斷態的臨界電流?？煽毓璧某缸‰娏鱅L約為維持電流IH的1.5—3倍。
IF—正向額定平均電流，指在規定的環境溫度、散熱條件、導通角(θ＞170°)情況下，允許通過元件的工頻（50Hz）正弦半波電流的平均值。在正弦半波情況下，波形系數KF=1.57，如IF=100A,可控硅可通過電流的有效值為157A。如導通角不同，KF值也不相同，可按KFIF=K′FI′F一式折算，例如θ=90°，K′F=2. 22，則I′F=(1.57x100)/2.22=70A。即只能當作額定平均電流為70A的可控硅使用。
VBO—正向轉折電壓，指在額定的結溫及操控極開路條件下，可控硅由正向阻斷轉為導通時，加在陽極與陰極間正弦波正向電壓所對應的峰值電壓。
PFV—正向阻斷峰值電壓，指在額定結溫及操控極開路和正向阻斷狀態下，可重復加在元件上的正向峰值電壓，比VBO小100V。
PRV—反向阻斷峰值電壓，指在額定結溫及操控極開路條件下，可以重復加在可控硅陽極上的反向峰值電壓，比反向不重復峰值電壓低100V。
V G —操控極*大觸發電壓，指在規定環境溫度下，對陽極和陰極間加上給定的正向電壓（一般為6V）,使可控硅由截止轉變為導通時所需要的*大觸發電壓。
VGN—操控極不觸發電壓，指在額定結溫，在陽極和陰極間加上正向阻斷峰值電壓條件下，仍能保持可控硅處于截止狀態所能加在操控極上的*大觸發電壓。
IG—操控極*大觸發電流，指在規定的環境溫度下，在陽極和陰極間加上給定的正向電壓(一般為6V)，使可控硅由截止轉為導通所需要的*大觸發電流。
IGN—操控極不觸發電流，指在規定的結溫時，在陽極和陰極間加上正向阻斷峰值電壓，仍能保持可控硅處于截止狀態所允許加在操控極上的*大觸發電流。
IL—掣住電流，指在規定的環境溫度，可控硅已處在導通狀態時，斷開觸發電路后，仍能保待導通所需要的*小通態電流，它是由斷態轉到通態的陽極臨界電流。
IH—維持電流，它是指在規定的環境溫度下，可控硅已觸發導通，當陽極電流下降后仍能維持通態所必須的*小電流。它是陽極電流由通態轉變到斷態的臨界電流?？煽毓璧某缸‰娏鱅L約為維持電流IH的1.5—3倍。
IF—正向額定平均電流，指在規定的環境溫度、散熱條件、導通角(θ＞170°)情況下，允許通過元件的工頻（50Hz）正弦半波電流的平均值。在正弦半波情況下，波形系數KF=1.57，如IF=100A,可控硅可通過電流的有效值為157A。如導通角不同，KF值也不相同，可按KFIF=K′FI′F一式折算，例如θ=90°，K′F=2. 22，則I′F=(1.57x100)/2.22=70A。即只能當作額定平均電流為70A的可控硅使用。
VBO—正向轉折電壓，指在額定的結溫及操控極開路條件下，可控硅由正向阻斷轉為導通時，加在陽極與陰極間正弦波正向電壓所對應的峰值電壓。
PFV—正向阻斷峰值電壓，指在額定結溫及操控極開路和正向阻斷狀態下，可重復加在元件上的正向峰值電壓，比VBO小100V。
PRV—反向阻斷峰值電壓，指在額定結溫及操控極開路條件下，可以重復加在可控硅陽極上的反向峰值電壓，比反向不重復峰值電壓低100V。
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